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반도체 설계 직무향상과정 (종합)
- 반도체의 설계 흐름 및 회로 활용에 대한 이해와 실제 현업에서 많이 사용되는 소자 및 회로 위주의 학습으로 개발 trend를 파악할 수 있는 과정
| 학습시간 | 총 34차시 60일 과정 |
|---|---|
| 강사 | 조남면, 김창호, 김준호 |
| 교재 |
|
수료 조건
| 수료항목 | 수료기준 | 평가 방법 |
|---|---|---|
| 평가 | - 시험 있는 과정 : 시험 응시(점수 무관) - 시험 없는 과정 : 시험 없음(진도율로 수료) ※ 기업의 요청이 있을 경우, 수료기준은 다를 수 있습니다. |
- 진행단계평가 선다형 문제 4문항 출제 총 100점만점, 배점 각 25점. - 최종평가 선다형 문제 20문항 출제 총 100점만점, 배점 각 5점. |
| 진도율 | 진도율 100% 기준, 100% 이상 시 수료 가능 ※ 기업의 요청이 있을 경우, 수료기준은 다를 수 있습니다. |
차시별 총 학습시간의 특정 시간 이상 학습한 차시만 해당 과정의 총 진도율에 반영됩니다. ※ 산업안전보건교육은 90%이상 학습한 차시만 해당 과정의 총 진도율에 반영됩니다. |
학습목표
- 반도체 설계 흐름 및 회로 활용에 대한 이해를 통해 현업에 적용할 수 있다.
- 개발 process 부터 소자, 각종 회로를 학습할 수 있다.
- 실제 현업에 많이 사용하는 소자 및 회로 위주의 학습으로 개발 trend를 파악할 수 있다.
학습대상
- 반도체 관련 기업의 개발업무를 진행하고 있는 사원~대리급
- 반도체 관련 기업에서 기술 영업을 진행하고 있는 사원~부장, 수석급
강사 소개
조남면
(강사)
- 경력
- 총 경력 : 13년 3개월
- - 삼성전자 공정개발팀 ( 13 년 3 개월 )
- 학력
- - 서울대학교 무기재료공학과( 석사졸업 )
김창호
(강사)
- 경력
- 전) 국내 대기업 11년 근무
- 현) 엘캠퍼스 교강사
- 학력
- 미국 Top 20 MBA 출신
김준호
(강사)
- 경력
- 현) 엘캠퍼스 교강사
- 전) 대기업 반도체 선행 연구 개발팀 연구원 3년
- 전) 연구 개발 담당 및 공정 프로세스 담당
- 학력
- 미국 TOP 10 대학원 출신
훈련내용
| 차시 | 차시명 | 강의시간 |
|---|---|---|
| 1차시 | 반도체 설계 기초 - 설계 Flow 소개 | 32분 |
| 2차시 | 반도체 설계 기초 - 구조 설계 부터 layout까지 | 28분 |
| 3차시 | 반도체 설계 기초 - Process 단계 부터 양산 Flow 소개 | 32분 |
| 4차시 | 반도체 설계 기초 - CMOS 구조 및 공정 기본 | 25분 |
| 5차시 | 반도체 설계 기초 - 수동소자 R,C | 39분 |
| 6차시 | 반도체 설계 기초 - L, PD, CIS, Memory | 39분 |
| 7차시 | 반도체 설계 기초 - Tr Amp 및 기본 회로 | 38분 |
| 8차시 | 반도체 설계 기초 - Op Amp 정의 | 30분 |
| 9차시 | 반도체 설계 기초 - Op Amp 응용 | 27분 |
| 10차시 | 반도체 설계 기초 - DAC, ADC, SOC 개념 | 36분 |
| 11차시 | 반도체 설계 기본 - 설계 Flow Introduction (1) | 38분 |
| 12차시 | 반도체 설계 기본 - 설계 Flow Introduction (2) | 42분 |
| 13차시 | 반도체 설계 기본 - Process 개요 및 trend | 39분 |
| 14차시 | 반도체 설계 기본 - CMOS 공정 | 42분 |
| 15차시 | 반도체 설계 기본 - Resistor 및 Capacitor | 39분 |
| 16차시 | 반도체 설계 기본 - MOS 구조 및 Large signal 해석 (1) | 26분 |
| 17차시 | 반도체 설계 기본 - MOS 구조 및 Large signal 해석 (2) | 29분 |
| 18차시 | 반도체 설계 기본 - Large signal 해석 2 | 35분 |
| 19차시 | 반도체 설계 기본 - Small signal 해석 및 Short channel 이해 | 40분 |
| 20차시 | 반도체 설계 기본 - Transistor Amp | 48분 |
| 21차시 | 반도체 설계 기본 - Current Mirror | 52분 |
| 22차시 | 반도체 설계 기본 - Reference & BGR | 48분 |
| 23차시 | 반도체 설계 활용 - 설계 Summary | 36분 |
| 24차시 | 반도체 설계 활용 - OP Amp1 Diff Pair | 33분 |
| 25차시 | 반도체 설계 활용 - OP Amp2 single stage | 35분 |
| 26차시 | 반도체 설계 활용 - OP Amp3 Two stage | 53분 |
| 27차시 | 반도체 설계 활용 - OP Amp Application | 35분 |
| 28차시 | 반도체 설계 활용 - OP Amp Application, Filter | 37분 |
| 29차시 | 반도체 설계 활용 - LPF & HPF | 25분 |
| 30차시 | 반도체 설계 활용 - DAC | 36분 |
| 31차시 | 반도체 설계 활용 - ADC | 32분 |
| 32차시 | 반도체 설계 활용 - Power Source | 38분 |
| 33차시 | 반도체 설계 활용 - Block Top 설계 | 29분 |
| 34차시 | 반도체 설계 활용 - SOC 설계 | 32분 |
모사답안 처리기준
- 모사답안의 정의
- 과제·시험에서 타인의 답안을 그대로 복사하거나, 문장의 구조·핵심 표현이 동일한 상태에서 일부만 바꾸어 제출한 답안을 모사답안이라고 합니다. 인터넷·서적·강의자료의 내용을 출처 없이 그대로 옮겨 적는 경우도 포함될 수 있습니다. - 처리 원칙
- 모사답안으로 판정된 경우, 해당 평가의 점수는 0점 처리됩니다.
- 모사답안이 1건 이상 적발되면 해당 수강생의 전체 과정이 미수료로 처리될 수 있습니다.
- 반복·중대한 부정행위 발생 시, 해당 사업장은 최대 1년간 직업능력개발훈련비 지원이 제한될 수 있습니다.
수강 후기
D
감사합니다.
알기 쉽게 이해를 도와주고 새로운 사실을 알 수 있어서 감사드립니다.
어렵군요 어려워...