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전체강의 > 반도체 > 한방에 끝내는 반도체 공정 이론

한방에 끝내는 반도체 공정 이론

휴대폰수강가능 컴퓨터수강가능
기업
일반
22차시 5주 과정
반도체 공정 개요
진공 (Vacuum)
플라즈마 (Plasma)
Photolithography
Etch
박막공정
금속배선공정
산화공정
도핑공정
CMP & CLEAN
반도체 테스트 공정
반도체 패키징 공정, 기술
반도체 기본재료
제조 공정별 주요 재료
정건화 외 4명 선생님

수강대상

직무영역
연구개발
생산/제조
일반/영업/마케팅
교육대상
신입
과장/선임
부장/수석

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※교재는 환급제외 대상입니다.

(학습자료) 한 방에 끝내는 반도체 공정 이론

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일반과정 (비환급)

일반 수강료 예상 수강료 (기업/단체)
141,680
대기업교육비 : 141,680원
예상지원금액 : 51,004원
예상수강료 : 90,676원
본인이 수강지원금 환급 대상자인지의 여부는
소속 노동사무소 (고용지원센터)에 문의하여
반드시 확인하시기 바랍니다.

대기업(1000명 이상)

물음표호버

90,676

중견기업교육비 : 141,680원
예상지원금액 : 102,009원
예상수강료 : 39,671원
본인이 수강지원금 환급 대상자인지의 여부는
소속 노동사무소 (고용지원센터)에 문의하여
반드시 확인하시기 바랍니다.

중견기업(1000명 미만)

물음표호버

39,671

우선지원대상기업교육비 : 141,680원
예상지원금액 : 114,760원
예상수강료 : 26,920원
본인이 수강지원금 환급 대상자인지의 여부는
소속 노동사무소 (고용지원센터)에 문의하여
반드시 확인하시기 바랍니다.

우선지원기업

우선지원대상기업이란? 물음표호버

26,920

일반 수강료 예상 수강료
141,680 0
수강료
220,000

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과정 분류 제목 모집마감일 교육기간 상태 강의신청
반도체
한방에 끝내는 반도체 공정 이론 2024-07-20 2024-08-01 ~ 2024-09-04 모집중 신청하기

※교육기간은 해당 회사 인사담당자의 승인 여부에 따라 달라질 수 있습니다.

과정 분류 제목 모집마감일 교육기간 상태 강의신청
신규과정으로, 현재 작업 중입니다.
(약 일주일 소요 예정)
과정 분류 제목 모집마감일 교육기간 상태 강의신청
반도체
한방에 끝내는 반도체 공정 이론 상시모집 5주 상시 모집중 신청하기
훈련목표
  • 반도체 공정의 기본인 플라즈마, 포토, 에칭의 원리를 학습할 수 있다.
  • 박막 공정, 패턴형성 공정, 그 외 부가 공정들의 과정 및 개념을 상세하게 정리하고 설명할 수 있다.
  • 후공정의 패키징 방식별 특징을 상세히 알 수 있다.
  • 반도체 제조에 사용되는 주요 재료를 이해하고 관련한 기본 지식을 넓힐 수 있다.
훈련대상
  • 반도체 산업에 입문하는 비전공자
  • 반도체 공정 기초 개념에 대해 확실히 알고자 하는 자
  • 공정 프로세스별 개념을 다잡고자 하는 자
  • 반도체 소자/전공정/후공정에 사용되는 재료에 대해 알고자 하는 자
교수진소개
강사
정건화 선생님
학력
경력
前 삼성전자 반도체연구소 공정개발 엔지니어
前 SK하이닉스 DRAM 소자개발 엔지니어
前 외국계반도체회사 소자개발 엔지니어
강사
유제규 선생님
학력
경력
前 삼성전자 반도체 수석연구원 14년 (생산/공정, 제품기술 담당)
前 페어차일드반도체(외국계) 12년 (파워IC개발)
前 삼성전자 LED 수석연구원 3년 (소자개발)
前 경기과학기술대 전자전기공학 외래교수 4년
강사
이강완 선생님
학력
경력
前 대기업 반도체 기술, 생산, 영업, 신규사업기획 분야 23년
前 대기업 금속, 재료, 교육 분야 11년 경력
다이오드, LED등 전자부품, 장비 분야 7년 경력
現 HRMPOWER 부사장
내용전문가
김준호 선생님
학력
미국 TOP 10 대학원 출신
경력
현) 엘캠퍼스 교강사
전) 대기업 반도체 선행 연구 개발팀 연구원 3년
전) 연구 개발 담당 및 공정 프로세스 담당
내용전문가
김창호 선생님
학력
미국 Top 20 MBA 출신
경력
전) 국내 대기업 11년 근무
현) 엘캠퍼스 교강사
수료기준
평가방법 및 수료기준
수료 항목 수료 기준 평가 방법
시험 * 환급(사업주훈련) 과정
100점 만점 기준 60점 이상

* 비환급(일반) 과정
- 시험 있는 과정 : 시험 응시(점수 무관)
- 시험 없는 과정 : 시험 없음(진도율로 수료)
※ 기업의 요청이 있을 경우, 수료기준은 다를 수 있습니다.
- 최종평가
선다형, 진위형 문제 10문항 출제, 총 100점만점, 배점 각 10점 (총 80%반영)

- 과제
서술형 1문항 출제, 총 100점만점, 배점 100점 (총 20%반영)
진도율 * 환급(사업주훈련) 과정
진도율 100% 기준, 80% 이상 시 수료 가능

* 비환급(일반) 과정
진도율 100% 기준, 100% 이상 시 수료 가능

차시별 총 학습시간의 50% 이상 학습한 차시만 해당 과정의 총 진도율에 반영됩니다.
모사답안
훈련내용
차시 차시명 학습 목표 강의 시간
1차시 반도체 공정 개요 - 반도체 제조의 목적으로 사용되는 Fab과 각종 설비 및 utility를 이해하고, 반도체 공정에 영향을 미치는 process parameter를 설명할 수 있다. 43분
2차시 진공 (Vacuum) - 진공의 정의와 원리 그리고 사용되는 장치를 이해하고, 반도체 공정에 영향을 미치는 process parameter를 설명할 수 있다. 43분
3차시 플라즈마 (Plasma) - Plasma의 정의와 원리를 이해하고, 반도체에서 플라즈마가 사용되는 공정을 바탕으로 각 process parameter가 공정에 미치는 영향을 설명할 수 있다. 37분
4차시 Photolithography (1) - Photolithography의 정의와 개념을 이해하고, 패턴을 뜨는 공정을 표면처리부터 Track System까지 설명할 수 있다. 44분
5차시 Photolithography (2) -Photolithography에서 빛이 가지는 물리 이론적인 의미와 더불어 Photolithography가 가진 역사적 의미를 알 수 있다. 32분
6차시 Photolithography (3) - Photolithography 중 화두로 떠오르고 있는 EUVL 공정의 개념과 EUVL이 화두로 떠오른 이유에 대해서 알 수 있다. 37분
7차시 Etch (1) - Etch의 기본적인 개념을 이해하고 Wet Etch와 Dry Etch의 차이점을 알 수 있다. 41분
8차시 Etch (2) - 현업에서 더 많이 사용되는 Dry Etch의 특성과 장비들을 심도 있게 알 수 있다.
- 차세대 Etch라고 볼 수 있는 ALE에 대해서 설명할 수 있다.
31분
9차시 박막공정 (1) - 박막이란 무엇인지 그 개념을 이해하고, 물리적인 박막 방법인 PVD를 설명할 수 있다. 39분
10차시 박막공정 (2) - 박막의 품질을 정의하는 방법을 이해하고, 화학적 가스를 사용하는 CVD의 개념 및 종류를 설명할 수 있다.
- ALD의 개념을 이해하고 그 장단점 및 특성을 설명할 수 있다.
39분
11차시 금속배선공정 - Silicide, Contact Plug, 구리배선 각 단계별 공정을 이해하고, 각 공정 스텝의 필요성에 대해 설명할 수 있다. 47분
12차시 산화공정 - 산화 공정의 물리적 의미를 파악하고, 실제 반도체 공정에서의 쓰임과 각 열 공정 방식의 차이를 비교할 수 있다. 30분
13차시 도핑공정 - 확산 공정과 Implant 방법의 특성을 이해하고, 방법의 차이에 의한 특성 차이를 비교 및 설명할 수 있다. 48분
14차시 CMP & CLEAN - CMP와 Clean 공정의 목적을 이해하고, Clean 공정 중 건식과 습식 세정의 특성 차이점을 비교 및 설명할 수 있다. 46분
15차시 반도체 테스트 공정 - 테스트의 개념과 그 목적을 이해하여, 불량품이 다음 공정으로 넘어가지 않도록 방지하는 방법을 알 수 있다. 29분
16차시 반도체 패키징 공정 (1) - 패키징 공정의 개념과 그 필요성을 이해하고, 어떠한 방식으로 패키징 공정이 진행되는 지 알 수 있다. 35분
17차시 반도체 패키징 공정 (2) - 솔더 볼 부착 공정부터 외관검사 까지 각 공정의 역할과 중요성을 이해하고, 전체적인 패키징 공정의 흐름을 설명할 수 있다. 27분
18차시 반도체 패키징 기술 - 다양한 반도체 패키지 기술에 대해서 이해하고, 반도체 패키징 기술의 발전 방향에 대해서 설명할 수 있다.
- TSV 기술의 개념과 특징, 그 발전 방향에 대해서 알 수 있다.
35분
19차시 반도체 재료의 소개 - 반도체 산업의 구조를 이해하고, 반도체 재료를 사용하는 목적 및 재료의 형태에 따라 어떠한 재료들이 사용되는지 알 수 있다.
- 반도체의 각 공정들이 어떠한 기술 변화를 겪었고, 이에 따라 재료가 어떻게 변화해 왔는지 설명할 수 있다.
39분
20차시 반도체 기본재료 (Si 웨이퍼) - 반도체의 특성과 종류들을 이해하고 반도체의 가장 중요한 재료인 Si의 특성 및 웨이퍼 제조 흐름을 알 수 있다. 42분
21차시 제조 공정별 주요 재료 - FAB 8대 공정을 기준으로 박막 공정에서 산화 공정까지, 각 공정별 기본적인 목적과 그 목적에 맞는 주요 재료들을 설명할 수 있다. 36분
22차시 제조 공정별 주요 재료와 주요 재료의 이슈 - FAB 8대 공정을 기준으로 이온주입 공정에서 패키지 공정까지, 각 공정별 기본적인 목적과 그 목적에 맞는 주요 재료들을 설명할 수 있다.
- 팹 공정을 위한 설비 관련 Utility 재료들 및 일반 소모품들의 종류에 대해 설명할 수 있다.
- 재료 관련하여 공정들의 이슈들을 살펴보고, 차세대 반도체 재료 및 소자에 대해 알 수 있다.
39분
유의사항
학습한경유의사항 수강진행이 불가능한 경우