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전체강의 > 반도체 > [기업직업훈련카드] 반도체 메모리 소자의 이해 (심화)

[기업직업훈련카드] 반도체 메모리 소자의 이해 (심화)

휴대폰수강가능 컴퓨터수강가능
19차시 5주 과정
반도체에 대한 전반적인 지식과 뉴메모리에 대한 지식이해
소자의 동작원리와 현재 트렌드 이해로 직무 역량 향상
반도체 공정의 이해
김창호 외 3명 선생님

수강대상

직무영역
연구개발
생산/제조
일반/영업/마케팅
교육대상
신입
과장/선임
부장/수석

교재안내

※교재는 환급제외 대상입니다.

[학습자료] 반도체 메모리 소자의 이해 (심화)

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STEP1 과정유형 선택

사업주훈련

근로자 내일배움카드

일반과정 (비환급)

일반 수강료 예상 수강료 (기업/단체)
59,400
대기업교육비 : 59,400원
예상지원금액 : 11,880원
예상수강료 : 47,520원
본인이 수강지원금 환급 대상자인지의 여부는
소속 노동사무소 (고용지원센터)에 문의하여
반드시 확인하시기 바랍니다.

대기업(1000명 이상)

물음표호버

47,520

중견기업교육비 : 59,400원
예상지원금액 : 23,760원
예상수강료 : 35,640원
본인이 수강지원금 환급 대상자인지의 여부는
소속 노동사무소 (고용지원센터)에 문의하여
반드시 확인하시기 바랍니다.

중견기업(1000명 미만)

물음표호버

35,640

우선지원대상기업교육비 : 59,400원
예상지원금액 : 29,700원
예상수강료 : 29,700원
본인이 수강지원금 환급 대상자인지의 여부는
소속 노동사무소 (고용지원센터)에 문의하여
반드시 확인하시기 바랍니다.

우선지원기업

우선지원대상기업이란? 물음표호버

29,700

일반 수강료 예상 수강료
59,400 0
수강료
190,000

STEP2 개강일 선택

과정 분류 제목 모집마감일 교육기간 상태 강의신청
신규과정으로, 현재 작업 중입니다.
(약 일주일 소요 예정)

※교육기간은 해당 회사 인사담당자의 승인 여부에 따라 달라질 수 있습니다.

과정 분류 제목 모집마감일 교육기간 상태 강의신청
신규과정으로, 현재 작업 중입니다.
(약 일주일 소요 예정)
과정 분류 제목 모집마감일 교육기간 상태 강의신청
신규과정으로, 현재 작업 중입니다.
(약 일주일 소요 예정)
훈련목표
  • 반도체에 대한 전반적인 지식과 뉴메모리에 대한 지식을 이해할 수 있다.
  • 반도체의 기본작동 동작을 이해하고, 뉴메모리의 이해도를 높일 수 있다.
  • 반도체의 뉴메리에 대해서 생산과정 및 원리를 이해하고 간접 경험할 수 있다.
  • 반도체 공정의 이해과정을 통해서 업무 내에서 직무 능력을 향상시킬 수 있다.
훈련대상
  • 반도체 관련 기업의 업무를 진행하고 있는 사원~부장, 수석급
  • 반도체 관련 기업에서 영업을 진행하고 있는 사원~부장, 수석급
  • 반도체와 유사한 공정 Process를 진행하고 있는 기업의 사원~부장, 수석급
  • 반도체 시장, 스마트폰 시장, IT 시장 등 IT전반에 걸친 정보가 필요한 기업의 사원 ~ 부장, 수석급
교수진소개
내용전문가
김기세 선생님
학력
- 인하대학교 전자공학과( 석사졸업 )
경력
총 경력 : 30년 0개월
- 페어차일드 코리아 ( 25 년 )
- 삼성전자 ( 4 년 11 개월 )
내용전문가
김창호 선생님
학력
미국 Top 20 MBA 출신
경력
전) 국내 대기업 11년 근무
현) 엘캠퍼스 교강사
내용전문가
김준호 선생님
학력
미국 TOP 10 대학원 출신
경력
현) 엘캠퍼스 교강사
전) 대기업 반도체 선행 연구 개발팀 연구원 3년
전) 연구 개발 담당 및 공정 프로세스 담당
강사
민정석 선생님
수료기준
평가방법 및 수료기준
수료 항목 수료 기준 평가 방법
시험 * 환급(사업주훈련) 과정
100점 만점 기준 60점 이상

* 비환급(일반) 과정
- 시험 있는 과정 : 시험 응시(점수 무관)
- 시험 없는 과정 : 시험 없음(진도율로 수료)
※ 기업의 요청이 있을 경우, 수료기준은 다를 수 있습니다.
- 최종평가
선다형 문제 20문항 출제 총 100점 만점, 배점 각 5점. (총 100% 반영)
진도율 * 환급(사업주훈련) 과정
진도율 100% 기준, 80% 이상 시 수료 가능

* 비환급(일반) 과정
진도율 100% 기준, 100% 이상 시 수료 가능

차시별 총 학습시간의 50% 이상 학습한 차시만 해당 과정의 총 진도율에 반영됩니다.
모사답안
훈련내용
차시 차시명 학습 목표 강의 시간
1차시 반도체 메모리 제품시장 조사하기 - 1. Intro. 메모리 반도체 산업 - 고객의 요구사항과 진입 시장의 규모를 파악할 수 있다.
- 파악된 자료, 시장조사기관의 분석자료 및 인터넷의 정보를 통해 개발 제품에 대한 전반적인 시장 동향을 분석할 수 있다.
- 시장동향 분석결과를 바탕으로 분석보고서를 작성할 수 있다.
27분
2차시 반도체 메모리 단위소자 개발하기 - 2. Intro. 메모리 종류와 원리, DRAM 강의 개요 - 소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다.
- 소자들의 검증 패턴을 해석하고 적용할 수 있다.
- 소자분석 장비의 사용법을 해석하고 적용할 수 있다.
- 소자 특성 측정 데이터의 불량 여부를 파악할 수 있다.
- 측정 데이터를 근거로 표준화된 기법에 의거, 장/단기 공정 특성산포를 예측하고 문서화할 수 있다.
28분
3차시 반도체 메모리 단위소자 개발하기 - 3. Device : DRAM Device 구조, MOSCAP1 - 소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다.
- 소자들의 검증 패턴을 해석하고 적용할 수 있다.
- 소자분석 장비의 사용법을 해석하고 적용할 수 있다.
- 소자 특성 측정 데이터의 불량 여부를 파악할 수 있다.
- 측정 데이터를 근거로 표준화된 기법에 의거, 장/단기 공정 특성산포를 예측하고 문서화할 수 있다.
32분
4차시 반도체 메모리 공정흐름도 해석하기 - 4. Device : MOSCAP2 - 웨이퍼 종류와 특성을 해석하고 설명할 수 있다.
- MOSFET 제작 구조를 해석하고 설명할 수 있다.
- 메탈배선의 적층 구조를 해석하고 설명할 수 있다.
- 패드(Pad) 및 보호막(Passivation Layer)의 구조를 해석하고 설명할 수 있다.
- 공정흐름도로부터 필요한 단위 공정을 파악할 수 있다.
28분
5차시 반도체 메모리 공정흐름도 해석하기 - 5. Device : MOSFET - 웨이퍼 종류와 특성을 해석하고 설명할 수 있다.
- MOSFET 제작 구조를 해석하고 설명할 수 있다.
- 메탈배선의 적층 구조를 해석하고 설명할 수 있다.
- 패드(Pad) 및 보호막(Passivation Layer)의 구조를 해석하고 설명할 수 있다.
- 공정흐름도로부터 필요한 단위 공정을 파악할 수 있다.
30분
6차시 반도체 메모리 단위소자 개발하기 - 6. Device : MOSFET2 - 소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다.
- 소자들의 검증 패턴을 해석하고 적용할 수 있다.
- 소자분석 장비의 사용법을 해석하고 적용할 수 있다.
- 소자 특성 측정 데이터의 불량 여부를 파악할 수 있다.
- 측정 데이터를 근거로 표준화된 기법에 의거, 장/단기 공정 특성산포를 예측하고 문서화할 수 있다.
34분
7차시 반도체 메모리 단위소자 개발하기 - 7. Device : Short Channel Effect 1 - 소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다.
- 소자들의 검증 패턴을 해석하고 적용할 수 있다.
- 소자분석 장비의 사용법을 해석하고 적용할 수 있다.
- 소자 특성 측정 데이터의 불량 여부를 파악할 수 있다.
- 측정 데이터를 근거로 표준화된 기법에 의거, 장/단기 공정 특성산포를 예측하고 문서화할 수 있다.
29분
8차시 반도체 메모리 단위소자 개발하기 - 8. Device : Short Channel Effect 2 - 소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다.
- 소자들의 검증 패턴을 해석하고 적용할 수 있다.
- 소자분석 장비의 사용법을 해석하고 적용할 수 있다.
- 소자 특성 측정 데이터의 불량 여부를 파악할 수 있다.
- 측정 데이터를 근거로 표준화된 기법에 의거, 장/단기 공정 특성산포를 예측하고 문서화할 수 있다.
27분
9차시 반도체 메모리 단위소자 개발하기 - 9. Device : Scaling Rule - 소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다.
- 소자들의 검증 패턴을 해석하고 적용할 수 있다.
- 소자분석 장비의 사용법을 해석하고 적용할 수 있다.
- 소자 특성 측정 데이터의 불량 여부를 파악할 수 있다.
- 측정 데이터를 근거로 표준화된 기법에 의거, 장/단기 공정 특성산포를 예측하고 문서화할 수 있다.
27분
10차시 반도체 메모리 단위소자 개발하기 - 10. Device : Capacitor - 소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다.
- 소자들의 검증 패턴을 해석하고 적용할 수 있다.
- 소자분석 장비의 사용법을 해석하고 적용할 수 있다.
- 소자 특성 측정 데이터의 불량 여부를 파악할 수 있다.
- 측정 데이터를 근거로 표준화된 기법에 의거, 장/단기 공정 특성산포를 예측하고 문서화할 수 있다.
30분
11차시 반도체 메모리 공정흐름도 해석하기 - 11. Architecture (1) - 웨이퍼 종류와 특성을 해석하고 설명할 수 있다.
- MOSFET 제작 구조를 해석하고 설명할 수 있다.
- 메탈배선의 적층 구조를 해석하고 설명할 수 있다.
- 패드(Pad) 및 보호막(Passivation Layer)의 구조를 해석하고 설명할 수 있다.
- 공정흐름도로부터 필요한 단위 공정을 파악할 수 있다.
34분
12차시 반도체 메모리 공정흐름도 해석하기 - 12. Architecture (2) - 웨이퍼 종류와 특성을 해석하고 설명할 수 있다.
- MOSFET 제작 구조를 해석하고 설명할 수 있다.
- 메탈배선의 적층 구조를 해석하고 설명할 수 있다.
- 패드(Pad) 및 보호막(Passivation Layer)의 구조를 해석하고 설명할 수 있다.
- 공정흐름도로부터 필요한 단위 공정을 파악할 수 있다.
30분
13차시 반도체 메모리 공정흐름도 해석하기 - 13. Fabrication Process - 웨이퍼 종류와 특성을 해석하고 설명할 수 있다.
- MOSFET 제작 구조를 해석하고 설명할 수 있다.
- 메탈배선의 적층 구조를 해석하고 설명할 수 있다.
- 패드(Pad) 및 보호막(Passivation Layer)의 구조를 해석하고 설명할 수 있다.
- 공정흐름도로부터 필요한 단위 공정을 파악할 수 있다.
28분
14차시 반도체 메모리 단위소자 개발하기 - 14. New Tech - 소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다.
- 소자들의 검증 패턴을 해석하고 적용할 수 있다.
- 소자분석 장비의 사용법을 해석하고 적용할 수 있다.
- 소자 특성 측정 데이터의 불량 여부를 파악할 수 있다.
- 측정 데이터를 근거로 표준화된 기법에 의거, 장/단기 공정 특성산포를 예측하고 문서화할 수 있다.
32분
15차시 반도체 메모리 제품시장 조사하기 - 15. Intro. Flash Market, Performance - NAND Flash 메모리 산업을 이해하고 고객의 요구사항과 진입 시장의 규모를 파악할 수 있다.
- NAND Flash 메모리의 간략한 역사를 이해하고 고객의 요구사항과 진입 시장의 규모를 파악할 수 있다.
40분
16차시 반도체 메모리 단위소자 개발하기 - 16. NAND Flash Single Cell - 소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다.
- 소자들의 검증 패턴을 해석하고 적용할 수 있다.
- 소자분석 장비의 사용법을 해석하고 적용할 수 있다.
- 소자 특성 측정 데이터의 불량 여부를 파악할 수 있다.
- 측정 데이터를 근거로 표준화된 기법에 의거, 장/단기 공정 특성산포를 예측하고 문서화할 수 있다.
40분
17차시 반도체 메모리 단위소자 개발하기 - 17. NAND Flash Array Structure - 소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다.
- 소자들의 검증 패턴을 해석하고 적용할 수 있다.
- 소자분석 장비의 사용법을 해석하고 적용할 수 있다.
- 소자 특성 측정 데이터의 불량 여부를 파악할 수 있다.
- 측정 데이터를 근거로 표준화된 기법에 의거, 장/단기 공정 특성산포를 예측하고 문서화할 수 있다.
54분
18차시 반도체 메모리 단위소자 개발하기 - 18. NAND vs DRAM - 소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다.
- 소자들의 검증 패턴을 해석하고 적용할 수 있다.
- 소자분석 장비의 사용법을 해석하고 적용할 수 있다.
- 소자 특성 측정 데이터의 불량 여부를 파악할 수 있다.
- 측정 데이터를 근거로 표준화된 기법에 의거, 장/단기 공정 특성산포를 예측하고 문서화할 수 있다.
29분
19차시 반도체 메모리 단위소자 개발하기 - 19. V-NAND & Summary - 소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다.
- 소자들의 검증 패턴을 해석하고 적용할 수 있다.
- 소자분석 장비의 사용법을 해석하고 적용할 수 있다.
- 소자 특성 측정 데이터의 불량 여부를 파악할 수 있다.
- 측정 데이터를 근거로 표준화된 기법에 의거, 장/단기 공정 특성산포를 예측하고 문서화할 수 있다.
29분
유의사항
학습한경유의사항 수강진행이 불가능한 경우