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전체강의 > 반도체 > 반도체 8대 공정장비의 이해 - Diffusion & Ion Implantation

반도체 8대 공정장비의 이해 - Diffusion & Ion Implantation

휴대폰수강가능 컴퓨터수강가능
NCS 수료증 발급
기업
일반
14차시 5주 과정
확산 이론괴 산화막 성장 및 설비와 이온 주입의 이론 이해
SOI와 HIgh, Low-k 신기술 학습
공정 개발과 양산 효율 향상
확산을 통한 산화막 성장과 이온 주입의 수행 역할 이해
김창호 외 3명 선생님

수강대상

직무영역
연구개발
생산/제조
일반/영업/마케팅
교육대상
신입
과장/선임
부장/수석

교재안내

※교재는 환급제외 대상입니다.

[학습자료] 반도체 8대 공정장비의 이해 - Diffusion & Ion Implantation

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STEP1 과정유형 선택

사업주훈련

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일반과정 (비환급)

일반 수강료 예상 수강료 (기업/단체)
62,700
대기업교육비 : 62,700원
예상지원금액 : 25,080원
예상수강료 : 37,620원
본인이 수강지원금 환급 대상자인지의 여부는
소속 노동사무소 (고용지원센터)에 문의하여
반드시 확인하시기 바랍니다.

대기업(1000명 이상)

물음표호버

37,620

중견기업교육비 : 62,700원
예상지원금액 : 50,160원
예상수강료 : 12,540원
본인이 수강지원금 환급 대상자인지의 여부는
소속 노동사무소 (고용지원센터)에 문의하여
반드시 확인하시기 바랍니다.

중견기업(1000명 미만)

물음표호버

12,540

우선지원대상기업교육비 : 62,700원
예상지원금액 : 56,430원
예상수강료 : 6,270원
본인이 수강지원금 환급 대상자인지의 여부는
소속 노동사무소 (고용지원센터)에 문의하여
반드시 확인하시기 바랍니다.
일반 수강료 예상 수강료
62,700 0
수강료
140,000

STEP2 개강일 선택

과정 분류 제목 모집마감일 교육기간 상태 강의신청
신규과정으로, 현재 작업 중입니다.
(약 일주일 소요 예정)

※교육기간은 해당 회사 인사담당자의 승인 여부에 따라 달라질 수 있습니다.

과정 분류 제목 모집마감일 교육기간 상태 강의신청
신규과정으로, 현재 작업 중입니다.
(약 일주일 소요 예정)
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반도체
반도체 8대 공정장비의 이해 - Diffusion & Ion Implantation 상시모집 5주 상시 모집중 신청하기
훈련목표
  • 반도체 DNI가 들어가는 공정에 대한 전반적인 지식을 이해하고, 이를 현업에 활용할 수 있다.
  • 반도체 DNI의 기본작동 동작을 이해하고, 공정별로 이해도를 높일 수 있다.
  • 반도체 DNI가 쓰이는 생산에 이용되는 공정에 대해서 원리를 이해하고 간접 경험할 수 있다.
  • 반도체 DNI 적용 공정의 이해과정을 통해서 업무 내에서 직무 능력을 향상시킬 수 있다.
훈련대상
  • 반도체 diffusion & ion implantation가 적용되는 공정과 관련 기업의 업무를 진행하고 있는 사원~부장, 수석급
  • 반도체 diffusion & ion implantation가 적용되는 공정과 관련 기업에서 영업을 진행하고 있는 사원~부장, 수석급
  • 반도체 diffusion & ion implantation가 적용되는 공정 및 유사한 공정 Process를 진행하고 있는 기업의 사원~부장, 수석급
교수진소개
내용전문가
김기세 선생님
학력
- 인하대학교 전자공학과( 석사졸업 )
경력
총 경력 : 30년 0개월
- 페어차일드 코리아 ( 25 년 )
- 삼성전자 ( 4 년 11 개월 )
내용전문가
조남면 선생님
학력
- 서울대학교 무기재료공학과( 석사졸업 )
경력
총 경력 : 13년 3개월
- 삼성전자 공정개발팀 ( 13 년 3 개월 )
내용전문가
김창호 선생님
학력
미국 Top 20 MBA 출신
경력
전) 국내 대기업 11년 근무
현) 엘캠퍼스 교강사
내용전문가
김준호 선생님
학력
미국 TOP 10 대학원 출신
경력
현) 엘캠퍼스 교강사
전) 대기업 반도체 선행 연구 개발팀 연구원 3년
전) 연구 개발 담당 및 공정 프로세스 담당
수료기준
평가방법 및 수료기준
수료 항목 수료 기준 평가 방법
시험 * 환급(사업주훈련) 과정
100점 만점 기준 60점 이상

* 비환급(일반) 과정
- 시험 있는 과정 : 시험 응시(점수 무관)
- 시험 없는 과정 : 시험 없음(진도율로 수료)
※ 기업의 요청이 있을 경우, 수료기준은 다를 수 있습니다.
- 최종평가
선다형 문제 10문항 출제 총 100점만점, 배점 각 10점.(총 80%반영)
- 과제
서술형 문제 1문항 출제 총 100점 만점, 배점 각 100점.(총 20%반영)
진도율 * 환급(사업주훈련) 과정
진도율 100% 기준, 80% 이상 시 수료 가능

* 비환급(일반) 과정
진도율 100% 기준, 100% 이상 시 수료 가능

차시별 총 학습시간의 50% 이상 학습한 차시만 해당 과정의 총 진도율에 반영됩니다.
모사답안
훈련내용
차시 차시명 학습 목표 강의 시간
1차시 Prologue - Patterning 과정 - 반도체 소자 생산 5단계를 이해한다.
- Patterning 과정을 이해한다.
30분
2차시 Prologue - Wafer Fabrication(1)_공정흐름도 해석하기 - MOSFET 제작 구조를 해석하고 설명할 수 있다.
- 메탈배선의 적층 구조를 해석하고 설명할 수 있다.
- 패드(Pad) 및 보호막(Passivation Layer)의 구조를 해석하고 설명할 수 있다.
- 공정흐름도로부터 필요한 단위 공정을 파악할 수 있다.
30분
3차시 Prologue - Wafer Fabrication(2)_공정흐름도 해석하기 - MOSFET 제작 구조를 해석하고 설명할 수 있다.
- 메탈배선의 적층 구조를 해석하고 설명할 수 있다.
- 패드(Pad) 및 보호막(Passivation Layer)의 구조를 해석하고 설명할 수 있다.
- 공정흐름도로부터 필요한 단위 공정을 파악할 수 있다.
36분
4차시 확산장비 Set-Up하기 – About SiO2(1) - 확산공정에 대해서 이해하고, 필요한 utility와 utility 공급 조건을 확인하고 준비할 수 있다. 31분
5차시 확산장비 Set-Up하기 – About SiO2(2) - 확산공정에 대해서 이해하고, 필요한 utility와 utility 공급 조건을 확인하고 준비할 수 있다. 32분
6차시 확산장비 Set-Up하기 – About SiO2(3) - 확산공정에 대해서 이해하고, 필요한 utility와 utility 공급 조건을 확인하고 준비할 수 있다. 29분
7차시 확산장비 Set-Up하기 – About SiO2(4) - 확산공정에 대해서 이해하고, 필요한 utility와 utility 공급 조건을 확인하고 준비할 수 있다. 30분
8차시 확산장비 Set-Up하기 – SiO2 Growth - 확산공정에 대해서 이해하고, 필요한 utility와 utility 공급 조건을 확인하고 준비할 수 있다. 30분
9차시 확산장비 Set-Up하기 – SiO2 Growth Equipment(1) - 확산장비의 주요 구성품, 즉 wafer 반송시스템, process chamber 조작, wafer loading & unloading, 진공펌프 및 적절한 펌프선정, chiller, gas 공급장치 등을 이해하고 정상 동작이 되도록 조작할 수 있다.
- 확산장비의 주요 구성품을 구성하여, 하드웨어적으로 설치를 완료할 수 있다.
- 확산 조건에 따라 recipe를 구성하여 공정 진행 후, 확산공정이 정확하게 이루어졌는지 확인 및 수정/보완할 수 있다.
28분
10차시 확산장비 Set-Up하기 – SiO2 Growth Equipment(2) - 확산장비의 주요 구성품, 즉 wafer 반송시스템, process chamber 조작, wafer loading & unloading, 진공펌프 및 적절한 펌프선정, chiller, gas 공급장치 등을 이해하고 정상 동작이 되도록 조작할 수 있다.
- 확산장비의 주요 구성품을 구성하여, 하드웨어적으로 설치를 완료할 수 있다.
- 확산 조건에 따라 recipe를 구성하여 공정 진행 후, 확산공정이 정확하게 이루어졌는지 확인 및 수정/보완할 수 있다.
29분
11차시 이온주입장비 Set-Up하기 – Ion Implantation(1) - Ion Implantation 공정의 목표에 대해 이해한다.
- 도핑 parameter에 대해 이해한다.
29분
12차시 이온주입장비 Set-Up하기 – Ion Implantation(2) - 이온주입장비 set-up시 불순물원자 이온화 챔버부, wafer 반송 시스템, analyzer magnet부, beam focus system beam scan system, end station system, 고진공시스템, cryo pump의 compressor 등 주요 구성부품의 동작 원리를 이해하고 정상 동작이 되도록 조작할 수 있다.
- 이온주입장비의 주요 구성품을 구성하여, 하드웨어적으로 설치를 완료할 수 있다.
29분
13차시 이온주입장비 Set-Up하기 – Ion Implantation Application(1) - 이온주입장비 set-up에 필요한 utility 및 공급조건을 알고 준비할 수 있다. 30분
14차시 이온주입장비 Set-Up하기 – Ion Implantation Application(2) - 공정종류별 이온주입량 및 방법에 대해서 이해하고, 공정 진행 후, 이온주입공정 결과에 대한 평가를 진행하고 그 결과에 따라 공정조건을 수정/보완할 수 있다. 33분
유의사항
학습한경유의사항 수강진행이 불가능한 경우