서브 경로
총12차시 5주 과정
김준호 외 4명 선생님
수강대상
직무영역
연구개발
생산/제조
일반/영업/마케팅
교육대상
신입
과장/선임
부장/수석
교재안내
※교재는 환급제외 대상입니다.[학습자료] 후공정 (패키징&테스트) 중급 과정
0 원
수강신청
STEP1 과정유형 선택
| 일반 수강료 | 예상 수강료 (기업/단체) |
|---|---|
| 54,340 원 |
대기업교육비 : 54,340원
예상지원금액 : 21,736원
예상수강료 : 32,604원
본인이 수강지원금 환급 대상자인지의 여부는
소속 노동사무소 (고용지원센터)에 문의하여 반드시 확인하시기 바랍니다. |
|
중견기업교육비 : 54,340원
예상지원금액 : 43,472원
예상수강료 : 10,868원
본인이 수강지원금 환급 대상자인지의 여부는
소속 노동사무소 (고용지원센터)에 문의하여 반드시 확인하시기 바랍니다. |
|
|
우선지원대상기업교육비 : 54,340원
예상지원금액 : 48,906원
예상수강료 : 5,434원
본인이 수강지원금 환급 대상자인지의 여부는
소속 노동사무소 (고용지원센터)에 문의하여 반드시 확인하시기 바랍니다. |
STEP2 개강일 선택
| 과정 분류 | 제목 | 모집마감일 | 교육기간 | 상태 | 강의신청 |
|---|---|---|---|---|---|
| 신규과정으로, 현재 작업 중입니다. (약 일주일 소요 예정) |
|||||
※교육기간은 해당 회사 인사담당자의 승인 여부에 따라 달라질 수 있습니다.
컨텐츠 탭
훈련목표
- 반도체가 적용되는 시장의 트렌드와 신시장(IT/IoT)에 대해서 이해할 수 있다.
- 반도체의 기본작동 동작을 이해하고, 제품별로 이해도를 높일 수 있다.
- 반도체의 생산에 이용되는 공정에 대해서 원리를 이해하고 간접 경험할 수 있다.
- 1,2,3번의 이해과정을 통해서 업무 내에서 직무 능력을 향상시킬 수 있다.
훈련대상
- 반도체 관련 기업의 업무를 진행하고 있는 사원~부장, 수석급
- 반도체 관련 기업에서 영업을 진행하고 있는 사원~부장, 수석급
- 반도체와 유사한 공정 Process를 진행하고 있는 기업의 사원~부장, 수석급
- 반도체 시장, 스마트폰 시장, IT 시장 등 IT전반에 걸친 정보가 필요한 기업의 사원 ~ 부장, 수석급
교수진소개
강사
김기세 선생님
학력
- 인하대학교 전자공학과( 석사졸업 )
경력
총 경력 : 30년 0개월
- 페어차일드 코리아 ( 25 년 )
- 삼성전자 ( 4 년 11 개월 )
- 페어차일드 코리아 ( 25 년 )
- 삼성전자 ( 4 년 11 개월 )
강사
선생님
강사
김창호 선생님
학력
미국 Top 20 MBA 출신
경력
전) 국내 대기업 11년 근무
현) 엘캠퍼스 교강사
현) 엘캠퍼스 교강사
강사
김준호 선생님
학력
미국 TOP 10 대학원 출신
경력
현) 엘캠퍼스 교강사
전) 대기업 반도체 선행 연구 개발팀 연구원 3년
전) 연구 개발 담당 및 공정 프로세스 담당
전) 대기업 반도체 선행 연구 개발팀 연구원 3년
전) 연구 개발 담당 및 공정 프로세스 담당
강사
김상수 선생님
학력
국내 대학 경제학 학사
경력
前) 삼성전자
수료기준
| 수료 항목 | 수료 기준 | 평가 방법 |
|---|---|---|
| 시험 | * 환급(사업주훈련) 과정 100점 만점 기준 60점 이상 * 비환급(일반) 과정 - 시험 있는 과정 : 시험 응시(점수 무관) - 시험 없는 과정 : 시험 없음(진도율로 수료) ※ 기업의 요청이 있을 경우, '수료기준'은 다를 수 있습니다. |
- 최종평가 선다형 문제 20문항 출제 총 100점만점, 배점 각 5점.(총100%반영) |
| 진도율 | * 환급(사업주훈련) 과정 진도율 100% 기준, 80% 이상 시 수료 가능 * 비환급(일반) 과정 진도율 100% 기준, 100% 이상 시 수료 가능 |
차시별 총 학습시간의 50% 이상 학습한 차시만 해당 과정의 총 진도율에 반영됩니다. |
훈련내용
| 차시 | 차시명 | 학습 목표 | 강의 시간 |
|---|---|---|---|
| 1차시 | 패키지 전공정 개발하기 - 반도체 패키지 산업의 발전 및 기능 | - 후면연마 공정을 통해 규정되어 있는 제품별 패키지 높이를 맞추기 위해 웨이퍼의 뒷면을 기계적 또는 화학적 방법으로 연마할 수 있다. - 웨이퍼 소잉(Sawing) 공정을 통해 칩(Die)을 개별적으로 분리할 수 있다. - 다이 접착 공정을 통해 리드프레임이나 반도체 기판 등의 패키지 재료에 다이를 고정시킬 수 있고, 스페이서 테이프를 이용하여 추가로 반도체 칩을 적층할 수 있다. 또한 제품에 따라서 다양한 접합공정이 사용될 수 있다. - TSV(Through Silicon Via) 공정을 통해 웨이퍼에 관통 홀을 형성하여 칩과 칩 또는 웨이퍼와 웨이퍼 간의 접합으로 3차원 적층을 할 수 있다. - 플라즈마 클리닝 공정을 통해 반도체 기판의 표면에 증착된 유기물을 물리, 화학적 방법으로 제거할 수 있다. - 본드 공정을 통해 다이의 전극과 리드프레임 또는 반도체 기판의 전극을 금속 세선(Wire), TAB(Tape Automated Bonding), 플립 칩 방식으로 전기적 신호를 연결할 수 있다. |
35분 |
| 2차시 | 패키지 전공정 개발하기 - 반도체 패키징 공정 - 1 | - 후면연마 공정을 통해 규정되어 있는 제품별 패키지 높이를 맞추기 위해 웨이퍼의 뒷면을 기계적 또는 화학적 방법으로 연마할 수 있다. - 웨이퍼 소잉(Sawing) 공정을 통해 칩(Die)을 개별적으로 분리할 수 있다. - 다이 접착 공정을 통해 리드프레임이나 반도체 기판 등의 패키지 재료에 다이를 고정시킬 수 있고, 스페이서 테이프를 이용하여 추가로 반도체 칩을 적층할 수 있다. 또한 제품에 따라서 다양한 접합공정이 사용될 수 있다. - TSV(Through Silicon Via) 공정을 통해 웨이퍼에 관통 홀을 형성하여 칩과 칩 또는 웨이퍼와 웨이퍼 간의 접합으로 3차원 적층을 할 수 있다. - 플라즈마 클리닝 공정을 통해 반도체 기판의 표면에 증착된 유기물을 물리, 화학적 방법으로 제거할 수 있다. - 본드 공정을 통해 다이의 전극과 리드프레임 또는 반도체 기판의 전극을 금속 세선(Wire), TAB(Tape Automated Bonding), 플립 칩 방식으로 전기적 신호를 연결할 수 있다. |
29분 |
| 3차시 | 패키지 전공정 개발하기 - 반도체 패키징 공정 - 2 | - 후면연마 공정을 통해 규정되어 있는 제품별 패키지 높이를 맞추기 위해 웨이퍼의 뒷면을 기계적 또는 화학적 방법으로 연마할 수 있다. - 웨이퍼 소잉(Sawing) 공정을 통해 칩(Die)을 개별적으로 분리할 수 있다. - 다이 접착 공정을 통해 리드프레임이나 반도체 기판 등의 패키지 재료에 다이를 고정시킬 수 있고, 스페이서 테이프를 이용하여 추가로 반도체 칩을 적층할 수 있다. 또한 제품에 따라서 다양한 접합공정이 사용될 수 있다. - TSV(Through Silicon Via) 공정을 통해 웨이퍼에 관통 홀을 형성하여 칩과 칩 또는 웨이퍼와 웨이퍼 간의 접합으로 3차원 적층을 할 수 있다. - 플라즈마 클리닝 공정을 통해 반도체 기판의 표면에 증착된 유기물을 물리, 화학적 방법으로 제거할 수 있다. - 본드 공정을 통해 다이의 전극과 리드프레임 또는 반도체 기판의 전극을 금속 세선(Wire), TAB(Tape Automated Bonding), 플립 칩 방식으로 전기적 신호를 연결할 수 있다. |
28분 |
| 4차시 | 패키지 전공정 개발하기 - 반도체 패키징 공정 - 3 | - 후면연마 공정을 통해 규정되어 있는 제품별 패키지 높이를 맞추기 위해 웨이퍼의 뒷면을 기계적 또는 화학적 방법으로 연마할 수 있다. - 웨이퍼 소잉(Sawing) 공정을 통해 칩(Die)을 개별적으로 분리할 수 있다. - 다이 접착 공정을 통해 리드프레임이나 반도체 기판 등의 패키지 재료에 다이를 고정시킬 수 있고, 스페이서 테이프를 이용하여 추가로 반도체 칩을 적층할 수 있다. 또한 제품에 따라서 다양한 접합공정이 사용될 수 있다. - TSV(Through Silicon Via) 공정을 통해 웨이퍼에 관통 홀을 형성하여 칩과 칩 또는 웨이퍼와 웨이퍼 간의 접합으로 3차원 적층을 할 수 있다. - 플라즈마 클리닝 공정을 통해 반도체 기판의 표면에 증착된 유기물을 물리, 화학적 방법으로 제거할 수 있다. - 본드 공정을 통해 다이의 전극과 리드프레임 또는 반도체 기판의 전극을 금속 세선(Wire), TAB(Tape Automated Bonding), 플립 칩 방식으로 전기적 신호를 연결할 수 있다. |
30분 |
| 5차시 | 패키지 전공정 개발하기 - 반도체 패키징 공정 - 4 | - 후면연마 공정을 통해 규정되어 있는 제품별 패키지 높이를 맞추기 위해 웨이퍼의 뒷면을 기계적 또는 화학적 방법으로 연마할 수 있다. - 웨이퍼 소잉(Sawing) 공정을 통해 칩(Die)을 개별적으로 분리할 수 있다. - 다이 접착 공정을 통해 리드프레임이나 반도체 기판 등의 패키지 재료에 다이를 고정시킬 수 있고, 스페이서 테이프를 이용하여 추가로 반도체 칩을 적층할 수 있다. 또한 제품에 따라서 다양한 접합공정이 사용될 수 있다. - TSV(Through Silicon Via) 공정을 통해 웨이퍼에 관통 홀을 형성하여 칩과 칩 또는 웨이퍼와 웨이퍼 간의 접합으로 3차원 적층을 할 수 있다. - 플라즈마 클리닝 공정을 통해 반도체 기판의 표면에 증착된 유기물을 물리, 화학적 방법으로 제거할 수 있다. - 본드 공정을 통해 다이의 전극과 리드프레임 또는 반도체 기판의 전극을 금속 세선(Wire), TAB(Tape Automated Bonding), 플립 칩 방식으로 전기적 신호를 연결할 수 있다. |
29분 |
| 6차시 | 패키지 전공정 개발하기 - 반도체 패키징 공정 - 5 | - 후면연마 공정을 통해 규정되어 있는 제품별 패키지 높이를 맞추기 위해 웨이퍼의 뒷면을 기계적 또는 화학적 방법으로 연마할 수 있다. - 웨이퍼 소잉(Sawing) 공정을 통해 칩(Die)을 개별적으로 분리할 수 있다. - 다이 접착 공정을 통해 리드프레임이나 반도체 기판 등의 패키지 재료에 다이를 고정시킬 수 있고, 스페이서 테이프를 이용하여 추가로 반도체 칩을 적층할 수 있다. 또한 제품에 따라서 다양한 접합공정이 사용될 수 있다. - TSV(Through Silicon Via) 공정을 통해 웨이퍼에 관통 홀을 형성하여 칩과 칩 또는 웨이퍼와 웨이퍼 간의 접합으로 3차원 적층을 할 수 있다. - 플라즈마 클리닝 공정을 통해 반도체 기판의 표면에 증착된 유기물을 물리, 화학적 방법으로 제거할 수 있다. - 본드 공정을 통해 다이의 전극과 리드프레임 또는 반도체 기판의 전극을 금속 세선(Wire), TAB(Tape Automated Bonding), 플립 칩 방식으로 전기적 신호를 연결할 수 있다. |
38분 |
| 7차시 | 패키지 전공정 개발하기 - 반도체 테스트 공정 - 1 | - 후면연마 공정을 통해 규정되어 있는 제품별 패키지 높이를 맞추기 위해 웨이퍼의 뒷면을 기계적 또는 화학적 방법으로 연마할 수 있다. - 웨이퍼 소잉(Sawing) 공정을 통해 칩(Die)을 개별적으로 분리할 수 있다. - 다이 접착 공정을 통해 리드프레임이나 반도체 기판 등의 패키지 재료에 다이를 고정시킬 수 있고, 스페이서 테이프를 이용하여 추가로 반도체 칩을 적층할 수 있다. 또한 제품에 따라서 다양한 접합공정이 사용될 수 있다. - TSV(Through Silicon Via) 공정을 통해 웨이퍼에 관통 홀을 형성하여 칩과 칩 또는 웨이퍼와 웨이퍼 간의 접합으로 3차원 적층을 할 수 있다. - 플라즈마 클리닝 공정을 통해 반도체 기판의 표면에 증착된 유기물을 물리, 화학적 방법으로 제거할 수 있다. - 본드 공정을 통해 다이의 전극과 리드프레임 또는 반도체 기판의 전극을 금속 세선(Wire), TAB(Tape Automated Bonding), 플립 칩 방식으로 전기적 신호를 연결할 수 있다. |
31분 |
| 8차시 | 패키지 전공정 개발하기 - 반도체 테스트 공정 - 2 | - 후면연마 공정을 통해 규정되어 있는 제품별 패키지 높이를 맞추기 위해 웨이퍼의 뒷면을 기계적 또는 화학적 방법으로 연마할 수 있다. - 웨이퍼 소잉(Sawing) 공정을 통해 칩(Die)을 개별적으로 분리할 수 있다. - 다이 접착 공정을 통해 리드프레임이나 반도체 기판 등의 패키지 재료에 다이를 고정시킬 수 있고, 스페이서 테이프를 이용하여 추가로 반도체 칩을 적층할 수 있다. 또한 제품에 따라서 다양한 접합공정이 사용될 수 있다. - TSV(Through Silicon Via) 공정을 통해 웨이퍼에 관통 홀을 형성하여 칩과 칩 또는 웨이퍼와 웨이퍼 간의 접합으로 3차원 적층을 할 수 있다. - 플라즈마 클리닝 공정을 통해 반도체 기판의 표면에 증착된 유기물을 물리, 화학적 방법으로 제거할 수 있다. - 본드 공정을 통해 다이의 전극과 리드프레임 또는 반도체 기판의 전극을 금속 세선(Wire), TAB(Tape Automated Bonding), 플립 칩 방식으로 전기적 신호를 연결할 수 있다. |
29분 |
| 9차시 | 패키지 전공정 개발하기 - 반도체 패키지 기술 - 1 | - 후면연마 공정을 통해 규정되어 있는 제품별 패키지 높이를 맞추기 위해 웨이퍼의 뒷면을 기계적 또는 화학적 방법으로 연마할 수 있다. - 웨이퍼 소잉(Sawing) 공정을 통해 칩(Die)을 개별적으로 분리할 수 있다. - 다이 접착 공정을 통해 리드프레임이나 반도체 기판 등의 패키지 재료에 다이를 고정시킬 수 있고, 스페이서 테이프를 이용하여 추가로 반도체 칩을 적층할 수 있다. 또한 제품에 따라서 다양한 접합공정이 사용될 수 있다. - TSV(Through Silicon Via) 공정을 통해 웨이퍼에 관통 홀을 형성하여 칩과 칩 또는 웨이퍼와 웨이퍼 간의 접합으로 3차원 적층을 할 수 있다. - 플라즈마 클리닝 공정을 통해 반도체 기판의 표면에 증착된 유기물을 물리, 화학적 방법으로 제거할 수 있다. - 본드 공정을 통해 다이의 전극과 리드프레임 또는 반도체 기판의 전극을 금속 세선(Wire), TAB(Tape Automated Bonding), 플립 칩 방식으로 전기적 신호를 연결할 수 있다. |
30분 |
| 10차시 | 패키지 전공정 개발하기 - 반도체 패키지 기술 - 2 | - 후면연마 공정을 통해 규정되어 있는 제품별 패키지 높이를 맞추기 위해 웨이퍼의 뒷면을 기계적 또는 화학적 방법으로 연마할 수 있다. - 웨이퍼 소잉(Sawing) 공정을 통해 칩(Die)을 개별적으로 분리할 수 있다. - 다이 접착 공정을 통해 리드프레임이나 반도체 기판 등의 패키지 재료에 다이를 고정시킬 수 있고, 스페이서 테이프를 이용하여 추가로 반도체 칩을 적층할 수 있다. 또한 제품에 따라서 다양한 접합공정이 사용될 수 있다. - TSV(Through Silicon Via) 공정을 통해 웨이퍼에 관통 홀을 형성하여 칩과 칩 또는 웨이퍼와 웨이퍼 간의 접합으로 3차원 적층을 할 수 있다. - 플라즈마 클리닝 공정을 통해 반도체 기판의 표면에 증착된 유기물을 물리, 화학적 방법으로 제거할 수 있다. - 본드 공정을 통해 다이의 전극과 리드프레임 또는 반도체 기판의 전극을 금속 세선(Wire), TAB(Tape Automated Bonding), 플립 칩 방식으로 전기적 신호를 연결할 수 있다. |
31분 |
| 11차시 | 패키지 전공정 개발하기 - 반도체 공정관리 - 1 | - 후면연마 공정을 통해 규정되어 있는 제품별 패키지 높이를 맞추기 위해 웨이퍼의 뒷면을 기계적 또는 화학적 방법으로 연마할 수 있다. - 웨이퍼 소잉(Sawing) 공정을 통해 칩(Die)을 개별적으로 분리할 수 있다. - 다이 접착 공정을 통해 리드프레임이나 반도체 기판 등의 패키지 재료에 다이를 고정시킬 수 있고, 스페이서 테이프를 이용하여 추가로 반도체 칩을 적층할 수 있다. 또한 제품에 따라서 다양한 접합공정이 사용될 수 있다. - TSV(Through Silicon Via) 공정을 통해 웨이퍼에 관통 홀을 형성하여 칩과 칩 또는 웨이퍼와 웨이퍼 간의 접합으로 3차원 적층을 할 수 있다. - 플라즈마 클리닝 공정을 통해 반도체 기판의 표면에 증착된 유기물을 물리, 화학적 방법으로 제거할 수 있다. - 본드 공정을 통해 다이의 전극과 리드프레임 또는 반도체 기판의 전극을 금속 세선(Wire), TAB(Tape Automated Bonding), 플립 칩 방식으로 전기적 신호를 연결할 수 있다. |
32분 |
| 12차시 | 패키지 전공정 개발하기 - 반도체 공정관리 - 2 | - 후면연마 공정을 통해 규정되어 있는 제품별 패키지 높이를 맞추기 위해 웨이퍼의 뒷면을 기계적 또는 화학적 방법으로 연마할 수 있다. - 웨이퍼 소잉(Sawing) 공정을 통해 칩(Die)을 개별적으로 분리할 수 있다. - 다이 접착 공정을 통해 리드프레임이나 반도체 기판 등의 패키지 재료에 다이를 고정시킬 수 있고, 스페이서 테이프를 이용하여 추가로 반도체 칩을 적층할 수 있다. 또한 제품에 따라서 다양한 접합공정이 사용될 수 있다. - TSV(Through Silicon Via) 공정을 통해 웨이퍼에 관통 홀을 형성하여 칩과 칩 또는 웨이퍼와 웨이퍼 간의 접합으로 3차원 적층을 할 수 있다. - 플라즈마 클리닝 공정을 통해 반도체 기판의 표면에 증착된 유기물을 물리, 화학적 방법으로 제거할 수 있다. - 본드 공정을 통해 다이의 전극과 리드프레임 또는 반도체 기판의 전극을 금속 세선(Wire), TAB(Tape Automated Bonding), 플립 칩 방식으로 전기적 신호를 연결할 수 있다. |
26분 |
수강후기
| 번호 | 과정 분류 | 제목 | 등록일 | 조회수 |
|---|---|---|---|---|
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| 36 | 반도체 | 도움되는 강의였습니다. | 2023-07-13 | 320 |
| 35 | 반도체 | 수강 후기 | 2023-06-26 | 368 |
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| 31 | 반도체 | 반도체 소자의 이해 (입문) | 2023-01-09 | 726 |
| 30 | 반도체 | 좋은 강의 | 2023-01-09 | 462 |
| 29 | 반도체 | 2021 반도체 트렌드 수강후기 | 2023-01-05 | 460 |
| 28 | 반도체 | 감사했습니다. | 2022-12-27 | 501 |
| 27 | 반도체 | 교육후기 | 2022-12-12 | 742 |
| 26 | 반도체 | 너무 유익하고 좋은 교육 | 2022-12-08 | 910 |
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| 19 | 반도체 | 좋아요 | 2022-10-12 | 2254 |
| 18 | 반도체 | 알기쉽게 설명 | 2022-09-15 | 2247 |
| 17 | 반도체 | 교육후기 | 2022-09-13 | 2385 |
| 16 | 반도체 | 교육 소감 | 2022-09-04 | 1937 |
| 15 | 반도체 | 플라즈마 | 2022-09-02 | 1822 |
| 14 | 반도체 | 반도체 산업 첫 걸음 | 2022-08-31 | 1988 |
| 13 | 반도체 | 감사했습니다. | 2022-08-30 | 2055 |
| 12 | 반도체반도체 | 수업 잘 들었습니다. | 2022-08-03 | 2916 |
| 11 | 반도체 | 추천하고 싶은 과정입니다. | 2022-08-02 | 2717 |
| 10 | 반도체 | 교육 후기 | 2022-07-16 | 2274 |
| 9 | 반도체 | 좋은강의감사합니다. | 2022-07-06 | 2419 |
| 8 | 반도체 | 좋은강의감사합니다. | 2022-07-04 | 2509 |
| 7 | 반도체 | 교육 완료했습니다 | 2022-07-04 | 2659 |
| 6 | 반도체 | 도움이 됩니다 | 2022-06-24 | 2425 |
| 5 | 반도체 | 교육을 통한 학습 가능 | 2022-06-15 | 3109 |
| 4 | 반도체 | 감사 합니다 | 2022-06-14 | 3083 |
| 3 | 반도체 | 후기작성 | 2022-06-07 | 3316 |
| 2 | 반도체 | 유익한 교육 이였습니다. | 2022-05-19 | 4077 |
| 1 | 반도체 | 매우 유익한 교육 입니다 | 2022-04-26 | 4440 |
유의사항
